Potential generation circuit, inverter, delay circuit, and logic gate circuit
WO2022110757
Art A1
2. Juni 2022
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022110757
- Aktenzeichen
- EP21896266
- Anmeldetag
- 7. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 2. Juni 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H03K19/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.