Integrated non volatile memory electrode thin film resistor cap and etch stop
WO2022111194
Art A1
2. Juni 2022
Anmelder: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022111194
- Aktenzeichen
- EP21896696
- Anmeldetag
- 27. Oktober 2021
- Veröffentlichung
- 2. Juni 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/00H01L21/82
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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Vertreten von
Robertson, Tracey
Winchester, Großbritannien
82
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10
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3
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