Semiconductor device with a side surface having different partial regions
WO2022112059
Art A1
2. Juni 2022
Anmelder: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022112059
- Aktenzeichen
- EP21815164
- Anmeldetag
- 16. November 2021
- Veröffentlichung
- 2. Juni 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/74H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG
- Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
Hitachi Energy Switzerland
Schweizer Gesellschaft des Hitachi-Konzerns, die Technik für Stromübertragung und -verteilung, Netzstabilität und Energieinfrastruktur entwickelt und liefert.
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