An array of memory cells, methods used in forming an array of memory cells, methods used in forming an array of vertical transistors, methods used in forming an array of vertical transistors, and methods used in forming an array of capacitors

WO2022115227 Art A1 2. Juni 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022115227
Aktenzeichen: EP21898908
Anmeldetag: 8. November 2021
Veröffentlichung: 2. Juni 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

5.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von