An array of capacitors, an array of memory cells, method used in forming an array of memory cells, methods used in forming an array of capacitors, and methods used in forming a plurality of horizontally- spaced conductive lines
WO2022115229
Art A1
2. Juni 2022
Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022115229
- Aktenzeichen
- EP21898910
- Anmeldetag
- 8. November 2021
- Veröffentlichung
- 2. Juni 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/108
Abstract
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Anmelder
- Firma
- MICRON TECHNOLOGY, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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