Methods for erase and reset in three-dimensional nand flash memory
WO2022116128
Art A1
9. Juni 2022
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022116128
- Aktenzeichen
- EP20963974
- Anmeldetag
- 4. Dezember 2020
- Veröffentlichung
- 9. Juni 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C16/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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Fachgebiete
Vertreten von
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