Furnace tube-based deposition method for thin film and semiconductor device

WO2022116481 Art A1 9. Juni 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022116481
Aktenzeichen: EP21899524
Anmeldetag: 24. Mai 2021
Veröffentlichung: 9. Juni 2022
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/458C23C16/46H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

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