Method for measuring distance between heat shield member lower end surface and raw material melt surface, method for controlling distance between heat shield member lower end surface and raw material melt surface, and method for producing silicon single crystal
WO2022118537
Art A1
9. Juni 2022
Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022118537
- Aktenzeichen
- EP21900293
- Anmeldetag
- 11. Oktober 2021
- Veröffentlichung
- 9. Juni 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06C30B15/26C30B30/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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