Nonvolatile memory device and manufacturing method therefor

WO2022118543 Art A1 9. Juni 2022

Anmelder: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY, ULVAC, INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022118543
Aktenzeichen: EP21900299
Anmeldetag: 15. Oktober 2021
Veröffentlichung: 9. Juni 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L27/11507H01L27/1159H01L21/336H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
ULVAC, INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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🇯🇵 ULVAC

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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