Method for manufacturing semiconductor device

WO2022118971 Art A1 9. Juni 2022

Anmelder: RESONAC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022118971
Aktenzeichen: EP21900720
Anmeldetag: 3. Dezember 2021
Veröffentlichung: 9. Juni 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: RESONAC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Resonac

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, hervorgegangen aus Showa Denko. Das Unternehmen stellt unter anderem Halbleitermaterialien, Elektronikchemikalien und funktionale Chemieprodukte her.

2.042 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von