Capacitive Sense Nand Memory

WO2022119690 Art A1 9. Juni 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022119690
Aktenzeichen: EP21901250
Anmeldetag: 10. November 2021
Veröffentlichung: 9. Juni 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/1157H01L27/11573H01L27/11575H01L27/11582

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von