Normally-on gallium nitride based transistor with p-type gate
WO2022119787
Art A1
9. Juni 2022
Anmelder: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022119787
- Aktenzeichen
- EP21901294
- Anmeldetag
- 30. November 2021
- Veröffentlichung
- 9. Juni 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/00H01L21/363
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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