Method for preparing silicon carbide from waste circuit board light panel cracking residue
WO2022122022
Art A1
16. Juni 2022
Anmelder: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, GUANGZHOU INSTITUTE OF ENERGY CONVERSION, CHINESE 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022122022
- Aktenzeichen
- EP21902727
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2021
- Veröffentlichung
- 16. Juni 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B32/97C22B7/00C22B15/00C01B32/40F27B17/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
GUANGZHOU INSTITUTE OF ENERGY CONVERSION, CHINESE - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Beijing University of Technology
Die Beijing University of Technology ist eine staatliche Hochschule in China mit breit gefächerter technischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf Software, Mess- und Prüftechnik, anorganische Chemie sowie Halbleiter- und Fertigungstechnik. Die Anmeldungen seit 2007 reichen von neuronaler Stimulationstechnik bis zu Werkstoff- und Oberflächentechnik.
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