Method for producing a semiconductor and device for producing a semiconductor

WO2022123725 Art A1 16. Juni 2022

Anmelder: HITACHI HIGH-TECH CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022123725
Aktenzeichen: EP20965107
Anmeldetag: 10. Dezember 2020
Veröffentlichung: 16. Juni 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/302

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI HIGH-TECH CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi High-Tech Corporation

Japanisches Unternehmen der Hitachi-Gruppe, spezialisiert auf Analysegeräte, medizinische Diagnostik und Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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