Two-dimensional light intensity distribution simulation method for uv-light back lithography process using su-8 photoresist
WO2022126692
Art A1
23. Juni 2022
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022126692
- Aktenzeichen
- EP20965705
- Anmeldetag
- 22. Dezember 2020
- Veröffentlichung
- 23. Juni 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/20G06F30/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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