Integrated photoelectric sensor and preparation method therefor

WO2022126864 Art A1 23. Juni 2022

Anmelder: Sun Yat-Sen University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022126864
Aktenzeichen: EP21904806
Anmeldetag: 2. März 2021
Veröffentlichung: 23. Juni 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/146

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sun Yat-Sen University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Sun Yat-Sen University

Die Sun Yat-Sen University ist eine bedeutende chinesische Forschungsuniversität mit Hauptsitz in Guangzhou. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Software und Datenverarbeitung, ergänzt um organische Chemie und Pharma. Anmeldungen sind seit 2003 dokumentiert.

527 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von