P-type gate hemt device

WO2022127165 Art A1 23. Juni 2022

Anmelder: SOUTHERN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022127165
Aktenzeichen: EP21905098
Anmeldetag: 18. August 2021
Veröffentlichung: 23. Juni 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L29/423H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOUTHERN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Southern University of Science and Technology

Die Southern University of Science and Technology ist eine staatliche Universität in Shenzhen, China. Ihr Patentportfolio verteilt sich breit über Software, Halbleitertechnik, Messtechnik, Medizintechnik und organische Chemie und spiegelt ein multidisziplinäres Forschungsprofil wider. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2015 bis 2025.

281 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von