Structure for a semiconductor device and method for producing a structure for a semiconductor device

WO2022128913 Art A1 23. Juni 2022

Anmelder: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022128913
Aktenzeichen: EP21835743
Anmeldetag: 13. Dezember 2021
Veröffentlichung: 23. Juni 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/861H01L21/329H01L29/32H01L21/268

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy Switzerland

Schweizer Gesellschaft des Hitachi-Konzerns, die Technik für Stromübertragung und -verteilung, Netzstabilität und Energieinfrastruktur entwickelt und liefert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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