Temperature detection method for voltage-controlled semiconductor element and drive device

WO2022130827 Art A1 23. Juni 2022

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022130827
Aktenzeichen: EP21906191
Anmeldetag: 8. November 2021
Veröffentlichung: 23. Juni 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H03K17/00H03K17/14G01R31/26

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von