High selectivity, low stress, and low hydrogen carbon hardmasks in low-pressure conditions with wide gap electrode spacing

WO2022132642 Art A1 23. Juni 2022

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022132642
Aktenzeichen: EP21907564
Anmeldetag: 13. Dezember 2021
Veröffentlichung: 23. Juni 2022
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/50C23C16/04C23C16/455C23C16/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von