Electrostatic protection structure, electrostatic protection circuit and chip

WO2022134606 Art A1 30. Juni 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022134606
Aktenzeichen: EP21908611
Anmeldetag: 9. August 2021
Veröffentlichung: 30. Juni 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/02H02H9/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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