Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode and method of producing a power semiconductor device

WO2022136179 Art A1 30. Juni 2022

Anmelder: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022136179
Aktenzeichen: EP21840886
Anmeldetag: 17. Dezember 2021
Veröffentlichung: 30. Juni 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/10H01L29/40H01L29/423H01L29/739H01L21/331H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy Switzerland

Schweizer Gesellschaft des Hitachi-Konzerns, die Technik für Stromübertragung und -verteilung, Netzstabilität und Energieinfrastruktur entwickelt und liefert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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