Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

WO2022136278 Art A2 30. Juni 2022

Anmelder: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022136278
Aktenzeichen: EP21843646
Anmeldetag: 20. Dezember 2021
Veröffentlichung: 30. Juni 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/16H01L21/336H01L29/08H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY SWITZERLAND AG
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy Switzerland

Schweizer Gesellschaft des Hitachi-Konzerns, die Technik für Stromübertragung und -verteilung, Netzstabilität und Energieinfrastruktur entwickelt und liefert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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