Silicon etching liquid, and method for producing silicon devices and method for processing substrates, each using said etching liquid

WO2022138754 Art A1 30. Juni 2022

Anmelder: TOKUYAMA CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022138754
Aktenzeichen
EP21910894
Anmeldetag
22. Dezember 2021
Veröffentlichung
30. Juni 2022
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/308H01L21/306
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
TOKUYAMA CORPORATION
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tokuyama

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.

1.073 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen