Schottky barrier diode passive element and manufacturing method therefor
WO2022139088
Art A1
30. Juni 2022
Anmelder: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022139088
- Aktenzeichen
- EP21911158
- Anmeldetag
- 22. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 30. Juni 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/66H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
KAIST
Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.
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