High mobility transistor element resulting from igto oxide semiconductor crystallization, and production method for same

WO2022139159 Art A1 30. Juni 2022

Anmelder: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022139159
Aktenzeichen: EP21911226
Anmeldetag: 2. November 2021
Veröffentlichung: 30. Juni 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L29/786H01L29/24H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation)

Die IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation) ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Portfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, mit weiteren Schwerpunkten in Medizintechnik und Akustik. Anmeldungen laufen seit 2018, unter anderem zu drahtloser Kommunikation und künstlicher Intelligenz.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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