Three-dimensional memory device programming with reduced disturbance

WO2022141618 Art A1 7. Juli 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022141618
Aktenzeichen: EP21912401
Anmeldetag: 4. Januar 2021
Veröffentlichung: 7. Juli 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/04G11C16/08G11C16/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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