Three-dimensional memory device programming with reduced threshold voltage shift
WO2022141619
Art A1
7. Juli 2022
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022141619
- Aktenzeichen
- EP21912402
- Anmeldetag
- 4. Januar 2021
- Veröffentlichung
- 7. Juli 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C16/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.