Semiconductor structure and forming method therefor

WO2022142095 Art A1 7. Juli 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022142095
Aktenzeichen: EP21912856
Anmeldetag: 25. Mai 2021
Veröffentlichung: 7. Juli 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L27/22H01L21/8239H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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