Manufacturing method for semiconductor apparatus

WO2022142128 Art A1 7. Juli 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022142128
Aktenzeichen: EP21912889
Anmeldetag: 2. Juni 2021
Veröffentlichung: 7. Juli 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/15G11C11/16H01L43/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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