Forming method for storage node contact structure, and semiconductor structure

WO2022142314 Art A1 7. Juli 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022142314
Aktenzeichen: EP21913063
Anmeldetag: 29. Juli 2021
Veröffentlichung: 7. Juli 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8242H01L27/108

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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