Method and apparatus for correcting placement error of mask

WO2022142364 Art A1 7. Juli 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022142364
Aktenzeichen: EP21913112
Anmeldetag: 13. August 2021
Veröffentlichung: 7. Juli 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/20G03F1/68

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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