Mid-infrared semiconductor saturable absorber mirror based on inas/gasb superlattice and preparation method therefor

WO2022142410 Art A1 7. Juli 2022

Anmelder: Shanghai Jiao Tong University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022142410
Aktenzeichen: EP21913157
Anmeldetag: 26. August 2021
Veröffentlichung: 7. Juli 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01S3/098

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Shanghai Jiao Tong University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shanghai Jiao Tong University

Die Shanghai Jiao Tong University ist eine der führenden chinesischen Universitäten mit breiter Forschung in Technik, Medizin und Naturwissenschaften. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie Software und Datenverarbeitung, ergänzt durch Pharma und Biotechnologie sowie Nachrichtentechnik. Anmeldungen reichen von 2003 bis 2025.

644 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von