Three-dimensional memory and fabrication method therefor
WO2022142872
Art A1
7. Juli 2022
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022142872
- Aktenzeichen
- EP21913614
- Anmeldetag
- 23. November 2021
- Veröffentlichung
- 7. Juli 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/11568
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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Fachgebiete
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