Security management of ferroelectric memory device

WO2022146959 Art A1 7. Juli 2022

Anmelder: MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022146959
Aktenzeichen: EP21916328
Anmeldetag: 28. Dezember 2021
Veröffentlichung: 7. Juli 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G06F21/79G06F21/57G06F12/14G06F13/16G06F13/42

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

5.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Software & Datenverarbeitung

Vertreten von