Erbium-doped gallium oxide thin film, and preparation method therefor and use thereof

WO2022148165 Art A1 14. Juli 2022

Anmelder: ZHEJIANG UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022148165
Aktenzeichen: EP21917206
Anmeldetag: 24. November 2021
Veröffentlichung: 14. Juli 2022
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/06C23C14/35C23C14/58C23C14/00H01L31/109H01L31/032H01L31/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ZHEJIANG UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Zhejiang University

Chinesische Universität mit Sitz in Hangzhou, eine der führenden Forschungshochschulen Chinas mit breitem Fächerspektrum einschließlich Ingenieurwissenschaften und Materialforschung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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