Ohmic-contact-gated carbon nanotube transistors, fabricating methods and applications of same

WO2022150426 Art A1 14. Juli 2022

Anmelder: NORTHWESTERN UNIVERSITY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022150426
Aktenzeichen
EP22737077
Anmeldetag
6. Januar 2022
Veröffentlichung
14. Juli 2022
Rechtsraum
WO
IPC
H01L51/05H01L51/00H01L29/06
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NORTHWESTERN UNIVERSITY
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Northwestern University

Private US-amerikanische Universität mit Hauptsitz in Evanston, Illinois, bekannt für Forschung in Ingenieurwissenschaften, Medizin und Materialwissenschaften.

1.375 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen