Ohmic-contact-gated carbon nanotube transistors, fabricating methods and applications of same
WO2022150426
Art A1
14. Juli 2022
Anmelder: NORTHWESTERN UNIVERSITY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022150426
- Aktenzeichen
- EP22737077
- Anmeldetag
- 6. Januar 2022
- Veröffentlichung
- 14. Juli 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L51/05H01L51/00H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NORTHWESTERN UNIVERSITY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Northwestern University
Private US-amerikanische Universität mit Hauptsitz in Evanston, Illinois, bekannt für Forschung in Ingenieurwissenschaften, Medizin und Materialwissenschaften.
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