Chip structure, packaging structure and fabrication method therefor
WO2022151676
Art A1
21. Juli 2022
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022151676
- Aktenzeichen
- EP21918872
- Anmeldetag
- 7. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 21. Juli 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L23/488H01L21/48H01L21/50H01L21/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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