Memory testing method and apparatus, readable storage medium, and electronic device

WO2022151707 Art A1 21. Juli 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022151707
Aktenzeichen: EP21918902
Anmeldetag: 28. Juli 2021
Veröffentlichung: 21. Juli 2022
Rechtsraum: WO
IPC: G11C29/18G11C29/56G06F11/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

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