Semiconductor device, integrated circuit, and method for manufacturing same
WO2022153676
Art A1
21. Juli 2022
Anmelder: TOHOKU UNIVERSITY 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022153676
- Aktenzeichen
- EP21919567
- Anmeldetag
- 22. November 2021
- Veröffentlichung
- 21. Juli 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L21/8234H01L21/8238H01L21/8239H01L21/8242H01L21/8244H01L27/06H01L27/088H01L27/092H01L27/105H01L27/108H01L27/11H01L27/11507H01L27/11514
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOHOKU UNIVERSITY
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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Fachgebiete
Vertreten von
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