Silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

WO2022153918 Art A1 21. Juli 2022

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022153918
Aktenzeichen: EP22739327
Anmeldetag: 6. Januar 2022
Veröffentlichung: 21. Juli 2022
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B25/20H01L21/205H01L29/12H01L29/739H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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