Method for manufacturing strain sensor by control of thin-film crack using stress concentration structure and strain sensor manufactured using same
WO2022154638
Art A1
21. Juli 2022
Anmelder: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022154638
- Aktenzeichen
- EP22739830
- Anmeldetag
- 18. Januar 2022
- Veröffentlichung
- 21. Juli 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01L9/00G01L5/161G01L1/22C23C14/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Seoul National University R&DB Foundation
Technologietransfer- und Forschungsförderungsstiftung der Seoul National University in Südkorea. Sie verwaltet und vermarktet die an der Universität entstandenen Forschungsergebnisse und Patente.
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