Semiconductor substrate and method for producing same, and semiconductor device

WO2022158085 Art A1 28. Juli 2022

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022158085
Aktenzeichen: EP21921188
Anmeldetag: 5. November 2021
Veröffentlichung: 28. Juli 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/205H01L21/265H01L29/06H01L29/12H01L29/78H01L29/739H01L21/336H01L29/872H01L21/329

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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