Method of cleaning chamber components with metal etch residues

WO2022159183 Art A1 28. Juli 2022

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022159183
Aktenzeichen: EP21921607
Anmeldetag: 6. Dezember 2021
Veröffentlichung: 28. Juli 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/32C23C14/56C11D7/10C11D7/08C11D7/32C11D7/50

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Farben, Klebstoffe & Brennstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von