Profile optimization for high aspect ratio memory using an etch front metal catalyst

WO2022159191 Art A1 28. Juli 2022

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022159191
Aktenzeichen: EP21921609
Anmeldetag: 8. Dezember 2021
Veröffentlichung: 28. Juli 2022
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/3213H01L21/3205H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von