Method and system for asynchronous multi-plane independent (ampi) memory read operation

WO2022160114 Art A1 4. August 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022160114
Aktenzeichen
EP21921734
Anmeldetag
27. Januar 2021
Veröffentlichung
4. August 2022
Rechtsraum
WO
IPC
G11C19/28G06F13/16G11C16/10
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen