Method and system for asynchronous multi-plane independent (ampi) memory read operation
WO2022160114
Art A1
4. August 2022
Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022160114
- Aktenzeichen
- EP21921734
- Anmeldetag
- 27. Januar 2021
- Veröffentlichung
- 4. August 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C19/28G06F13/16G11C16/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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Vertreten von
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