Method for forming barrier layer in semiconductor structure

WO2022160139 Art A1 4. August 2022

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD., NTD UNIVATION INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2022160139
Aktenzeichen
EP21921759
Anmeldetag
27. Januar 2021
Veröffentlichung
4. August 2022
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/768H01L27/1157H01L27/11582H01L21/67
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
NTD UNIVATION INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY LTD.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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