Thin film deposition method and thin film deposition device

WO2022160595 Art A1 4. August 2022

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022160595
Aktenzeichen: EP21922192
Anmeldetag: 30. Juni 2021
Veröffentlichung: 4. August 2022
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/44C23C16/46C23C16/40C23C16/52

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

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