Field effect transistor device, and method for alleviating short channel effect and output characteristic thereof
WO2022160923
Art A1
4. August 2022
Anmelder: Soochow University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2022160923
- Aktenzeichen
- EP21922513
- Anmeldetag
- 1. Dezember 2021
- Veröffentlichung
- 4. August 2022
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Soochow University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Soochow University
Soochow University ist eine staatliche Universität in Suzhou, China, mit breitem Fächerspektrum einschließlich Materialwissenschaft und Chemie.
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