Apparatus for manufacturing sic epitaxial wafer, and method for manufacturing sic epitaxial wafer

WO2022163052 Art A1 4. August 2022

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2022163052
Aktenzeichen: EP21923057
Anmeldetag: 5. November 2021
Veröffentlichung: 4. August 2022
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C23C16/42C30B25/12C30B25/20H01L21/20H01L21/205H01L21/329H01L21/336H01L29/12H01L29/78H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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